搶先臺積電三星宣布已經開始生產3nm制程芯片

趕在6月結束之際，三星宣布已經開始開始生產3nm制程芯片，象征在制程技術發展領先競爭對手。

三星的3nm制程技術基于環繞式閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管架構設計，相比臺積電目前采用的鰭式場效晶體管（Fin Field Effect Transistor，FinFET）能讓芯片發揮更高運算性能，并且能藉由降低電壓提升能源效益。

相較先前的5nm制程，三星強調3nm制程約可降低45%能耗，并且讓運算性能提升25%，芯片占用面積約可縮減16%，預期可應用在更輕薄手機產品，或是更小裝置使用。

在臺積電預期要等到2023年才會開始生產3nm制程芯片產品情況下，預期三星將會藉由3nm制程技術搶先爭取更多代工需求客戶。

不過，從先前Qualcomm藉由三星5nm制程技術量產Snapdragon 8 Gen 1處理器，卻出現容易過熱問題，因此在后續推出的Snapdragon 8+ Gen 1處理器，則因為換成臺積電5nm制程技術，進而在運作發熱控制有較好表現，使得市場對于三星推出3nm制程技術良率表現感到質疑。

目前臺積電依然是全球最大芯片代工業者，市占率高達53%，其次則是三星，市占率約在18%，而臺積電預計會在2025年進入2nm制程發展，預期三星也會積極搶進2nm制程技術市場。